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更新時間：2021-08-30 
瀏覽次數(shù)：855快速退火爐是現(xiàn)代大范圍集成電路消費(fèi)工藝過程中的關(guān)鍵配備。主要用于離子注入后雜質(zhì)的激活、淺結(jié)制造、生長高質(zhì)量的氧化膜層和金屬硅化物合金構(gòu)成等工藝。隨著集成電路工藝技術(shù)的飛速開展，展開快速退火爐系統(tǒng)的技術(shù)研討，對國內(nèi)開發(fā)和研討具有自主學(xué)問產(chǎn)權(quán)的快速退火爐配備，有著非常重要的理論意義和工程應(yīng)用價值。
公司針對現(xiàn)代半導(dǎo)體器件退火工藝對快速退火爐系統(tǒng)的技術(shù)請求，在綜合剖析國內(nèi)外各種快速退火滬系統(tǒng)技術(shù)根底上，經(jīng)過深化的剖析研討，設(shè)計了系統(tǒng)總體技術(shù)計劃。擬定采用燈光輻射型熱源安裝，上下兩排成正交的燈管組對位于其中間的半導(dǎo)體硅片停止直接加熱完成溫度的快速上升，以單點(diǎn)測溫作為溫度丈量的處理計劃作為系統(tǒng)總體計劃。
依據(jù)熱傳導(dǎo)根本理論，以完成系統(tǒng)總體技術(shù)指標(biāo)作為己知參數(shù)計算得到系統(tǒng)所需求的熱功率，在此根底上完成熱源與反響腔體、冷卻系統(tǒng)、送氣系統(tǒng)等部件的設(shè)計。經(jīng)過剖析影響硅片外表溫度邊緣效應(yīng)的要素，提出燈管分區(qū)及分區(qū)控制的設(shè)計計劃，完成硅片外表溫度的平均性。
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